Name: SI4464DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4464DY-T1-E3TR-ND
Price: 10.3566 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4464DY-T1-E3
Numer produktu DigiKey	SI4464DY-T1-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4464DY-T1-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4464DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4464DY-T1-E3
Opis	MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 1,7A (Ta) 1,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI4464DY-T1-E3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1,7A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	240mOhm przy 2,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,5W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	SI4464