
IRF640PBF | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IRF640PBF-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IRF640PBF |
Opis | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 39 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IRF640PBF Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 180mOhm przy 11A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 70 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1300 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 125W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220AB | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 12,46000 zł | 12,46 zł |
| 50 | 6,26420 zł | 313,21 zł |
| 100 | 5,66460 zł | 566,46 zł |
| 500 | 4,61354 zł | 2 306,77 zł |
| 1 000 | 4,27586 zł | 4 275,86 zł |
| 2 000 | 4,01336 zł | 8 026,72 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 12,46000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 15,32580 zł |









