Name: TPW1R306PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R306PLL1QTR-ND
Price: 16.482 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

TPW1R306PL,L1Q
Numer produktu DigiKey	TPW1R306PLL1QTR-ND - Taśma i szpula (TR) TPW1R306PLL1QCT-ND - Taśma cięta (CT) TPW1R306PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPW1R306PL,L1Q
Opis	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 260A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DSOP Advance
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TPW1R306PL,L1Q Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSIX-H
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	260A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,29mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	8100 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura robocza	175°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-DSOP Advance
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	TPW1R306

Cena jednostkowa bez VAT:	13,40000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	16,48200 zł

TPW1R306PL,L1Q