Name: RN1106MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1106MFVL3FTR-ND
Price: 0.6765 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RN1106MFV,L3F
Numer produktu DigiKey	RN1106MFVL3FTR-ND - Taśma i szpula (TR) RN1106MFVL3FCT-ND - Taśma cięta (CT) RN1106MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	RN1106MFV,L3F
Opis	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Standardowy czas realizacji przez producenta	42 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Tranzystory - bipolarne (BJT) - pojedyncze pre-biased PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Montaż powierzchniowy VESM
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RN1106MFV,L3F Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Bipolarne (BJT) Tranzystory bipolarne spolaryzowane, pojedyncze
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ tranzystora	PNP - Pre-Biased
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	100 mA
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	50 V
Rezystory w zestawie	R1 oraz R2
Rezystor - bazy (R1)	4.7 kOhms
Rezystor - emitera (R2)	47 kOhms
Wzmocnienie stałoprądowe (hFE) (min.) @ Ic, Vce	80 przy 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) przy Ib, Ic	300mV przy 500µA, 5mA
Prąd - graniczny kolektora (maks.)	500nA
Moc - maks.	150 mW
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	SOT-723
Obudowa dostawcy urządzenia	VESM
Bazowy numer produktu	RN1106

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 30 404

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)