Name: CSD19532KTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD19532KTTTR-ND
Price: 14.1819 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

CSD19532KTT
Numer produktu DigiKey	296-CSD19532KTTTR-ND - Taśma i szpula (TR) 296-CSD19532KTTCT-ND - Taśma cięta (CT) 296-CSD19532KTTDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Texas Instruments
Numer produktu producenta	CSD19532KTT
Opis	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	6 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 200A (Ta) 250W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (DDPAK-3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	CSD19532KTT Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Texas Instruments
Seria	NexFET™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	200A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5,6mOhm przy 90A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5060 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	250W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263 (DDPAK-3)
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	CSD19532