Name: CSD18509Q5B
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-41075-2-ND
Price: 13.9974 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

CSD18509Q5B
Numer produktu DigiKey	296-41075-2-ND - Taśma i szpula (TR) 296-41075-1-ND - Taśma cięta (CT) 296-41075-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Texas Instruments
Numer produktu producenta	CSD18509Q5B
Opis	MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	6 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 100A (Ta) 3,1W (Ta), 195W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-VSON-CLIP (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	CSD18509Q5B Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Texas Instruments
Seria	NexFET™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,2mOhm przy 32A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	195 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	13900 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,1W (Ta), 195W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-VSON-CLIP (5x6)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	CSD18509