Name: STQ1NK80ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-6197-3-ND
Price: 5.7564 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STQ1NK80ZR-AP
Numer produktu DigiKey	497-6197-1-ND - Taśma cięta (CT) 497-6197-3-ND - Taśma i skrzynka (TB)
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STQ1NK80ZR-AP
Opis	MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	13 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 800 V 300mA (Tc) 3W (Tc) Otwór przelotowy TO-92-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STQ1NK80ZR-AP Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	SuperMESH™
Opakowanie	Taśma cięta (CT) Taśma i skrzynka (TB)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	800 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	300mA (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	16Ohm przy 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	7.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	160 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-92-3
Obudowa / skrzynia	Odprowadzenia formowane TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Bazowy numer produktu	STQ1NK80