
STQ1NK80ZR-AP | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 497-6197-1-ND - Taśma cięta (CT) 497-6197-3-ND - Taśma i skrzynka (TB) |
Producent | |
Numer produktu producenta | STQ1NK80ZR-AP |
Opis | MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 15 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 300mA (Tc) 3W (Tc) Otwór przelotowy TO-92-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | STQ1NK80ZR-AP Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma cięta (CT) Taśma i skrzynka (TB) | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 800 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 16Ohm przy 500mA, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,5V przy 50µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 7.7 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 160 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 3W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-92-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 4,54000 zł | 4,54 zł |
| 10 | 2,83900 zł | 28,39 zł |
| 100 | 1,87280 zł | 187,28 zł |
| 500 | 1,45778 zł | 728,89 zł |
| 1 000 | 1,32406 zł | 1 324,06 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 000 | 1,21160 zł | 2 423,20 zł |
| 4 000 | 1,11702 zł | 4 468,08 zł |
| 6 000 | 1,06883 zł | 6 412,98 zł |
| 10 000 | 1,01469 zł | 10 146,90 zł |
| 14 000 | 0,99419 zł | 13 918,66 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 4,54000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 5,58420 zł |


