TO-247-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
TO-247-3
TO-247-3

SCTWA90N65G2V

Numer produktu DigiKey
497-SCTWA90N65G2V-ND
Producent
Numer produktu producenta
SCTWA90N65G2V
Opis
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Standardowy czas realizacji przez producenta
17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 119A (Tc) 565W (Tc) Otwór przelotowy TO-247, długie odprowadzenia
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
SCTWA90N65G2V Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
24mOhm przy 50A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+22V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
3380 pF @ 400 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
565W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 200°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247, długie odprowadzenia
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 477
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
1103,32000 zł103,32 zł
3066,93167 zł2 007,95 zł
12064,05000 zł7 686,00 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:103,32000 zł
Cena jednostkowa z VAT:127,08360 zł