Name: SCTWA70N120G2V-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTWA70N120G2V-4-ND
Price: 145.2753 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SCTWA70N120G2V-4
Numer produktu DigiKey	497-SCTWA70N120G2V-4-ND
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	SCTWA70N120G2V-4
Opis	DISCRETE
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 91A (Tc) 547W Otwór przelotowy TO-247-4
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SCTWA70N120G2V-4 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	-
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	91A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	30mOhm przy 50A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,9V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	150 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3540 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	547W
Temperatura robocza	-55°C - 200°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-4
Obudowa / skrzynia	TO-247-4
Bazowy numer produktu	SCTWA70