Name: SCT070HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT070HU120G3AGTR-ND
Price: 64.1568 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SCT070HU120G3AG
Numer produktu DigiKey	497-SCT070HU120G3AGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 497-SCT070HU120G3AGCT-ND - Taśma cięta (CT) 497-SCT070HU120G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	SCT070HU120G3AG
Opis	HU3PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 30A (Tc) 223W (Tc) Montaż powierzchniowy HU3PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SCT070HU120G3AG Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	30A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	87mOhm przy 15A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,2V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	37 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	900 pF @ 850 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	223W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	HU3PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA