
S1M1000170D | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1655-S1M1000170D-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | S1M1000170D |
Opis | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 12 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1700 V 5,2A (Tc) 81W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1700 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 20V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 1,3Ohm przy 2A, 20V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 500µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 10 nC @ 20 V | |
Vgs (maks.) | +25V, -10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 160 pF @ 1000 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 81W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-247AD | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 13,94000 zł | 13,94 zł |
| 10 | 9,14200 zł | 91,42 zł |
| 300 | 5,55847 zł | 1 667,54 zł |
| 600 | 5,13228 zł | 3 079,37 zł |
| 1 200 | 4,77390 zł | 5 728,68 zł |
| 2 100 | 4,63915 zł | 9 742,22 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 13,94000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 17,14620 zł |





