Name: RQ6E080AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E080AJTCRTR-ND
Price: 5.3628 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RQ6E080AJTCR
Numer produktu DigiKey	RQ6E080AJTCRTR-ND - Taśma i szpula (TR) RQ6E080AJTCRCT-ND - Taśma cięta (CT) RQ6E080AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RQ6E080AJTCR
Opis	MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 8A (Ta) 950mW (Ta) Montaż powierzchniowy TSMT6 (SC-95)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RQ6E080AJTCR Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	16.5mOhm przy 8A, 4.5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1.5V przy 2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	16.2 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1810 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	950mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TSMT6 (SC-95)
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Bazowy numer produktu	RQ6E080