Name: RQ3G150GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3G150GNTBTR-ND
Price: 8.2779 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RQ3G150GNTB
Numer produktu DigiKey	RQ3G150GNTBTR-ND - Taśma i szpula (TR) RQ3G150GNTBCT-ND - Taśma cięta (CT) RQ3G150GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RQ3G150GNTB
Opis	MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 39A (Tc) 20W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RQ3G150GNTB Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nie do nowych projektów
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	39A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	7,2mOhm przy 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	11.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1450 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	20W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-HSMT (3,2x3)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	RQ3G150