Name: RF4E080GNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E080GNTRTR-ND
Price: 3.2841 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RF4E080GNTR
Numer produktu DigiKey	RF4E080GNTRTR-ND - Taśma i szpula (TR) RF4E080GNTRCT-ND - Taśma cięta (CT) RF4E080GNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RF4E080GNTR
Opis	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy HUML2020L8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RF4E080GNTR Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	17,6mOhm przy 8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	5.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	295 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2W (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	HUML2020L8
Obudowa / skrzynia	8-PowerUDFN
Bazowy numer produktu	RF4E080

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 2 650

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)