Name: NVMTS1D2N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS1D2N08HTR-ND
Price: 31.6479 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVMTS1D2N08H
Numer produktu DigiKey	488-NVMTS1D2N08HTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NVMTS1D2N08HCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NVMTS1D2N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVMTS1D2N08H
Opis	MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Standardowy czas realizacji przez producenta	19 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 43,5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DFNW (8,3x8,4)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NVMTS1D2N08H Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	43,5A (Ta), 337A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,1mOhm przy 90A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 590µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	147 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	10100 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	5W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-DFNW (8,3x8,4)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	NVMTS1