Name: NTMTS0D7N06CLTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTS0D7N06CLTXGTR-ND
Price: 21.6111 PLN
Availability: OutOfStock

NTMTS0D7N06CLTXG nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

onsemi

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 17,57000 zł

Odpowiednik parametryczny

onsemi

W magazynie: 1 092

Cena jednostkowa : 45,35000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMTS0D7N06CLTXG
Numer produktu DigiKey	488-NTMTS0D7N06CLTXGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NTMTS0D7N06CLTXGCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NTMTS0D7N06CLTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMTS0D7N06CLTXG
Opis	MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
Standardowy czas realizacji przez producenta	99 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 62.2A (Ta), 477A (Tc) 5W (Ta), 294,6W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DFNW (8,3x8,4)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NTMTS0D7N06CLTXG Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	62.2A (Ta), 477A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,68mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	225 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	16200 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	5W (Ta), 294,6W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-DFNW (8,3x8,4)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	NTMTS0