Name: MVSF2N02ELT1G
Brand: onsemi
SKU: MVSF2N02ELT1GOSTR-ND
Price: 5.6334 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

MVSF2N02ELT1G
Numer produktu DigiKey	MVSF2N02ELT1GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) MVSF2N02ELT1GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) MVSF2N02ELT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	MVSF2N02ELT1G
Opis	MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 2,8A (Ta) 1,25W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	MVSF2N02ELT1G Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,8A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	85mOhm przy 3,6A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	3.5 nC @ 4 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	150 pF @ 5 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,25W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3 (TO-236)
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	MVSF2