
HUF75639S3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | HUF75639S3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | HUF75639S3 |
Opis | MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Otwór przelotowy TO-262 (I2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Nieaktualne | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 100 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 25mOhm przy 56A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 130 nC @ 20 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 2000 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 200W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-262 (I2PAK) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 13,14000 zł | 13,14 zł |
| 10 | 8,61800 zł | 86,18 zł |
| 100 | 6,03780 zł | 603,78 zł |
| 800 | 4,69028 zł | 3 752,22 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 13,14000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 16,16220 zł |

