FQPF10N50CF jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended


onsemi
W magazynie: 949
Cena jednostkowa : 14,39000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,74296 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 685
Cena jednostkowa : 9,54000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 72
Cena jednostkowa : 13,75000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 50
Cena jednostkowa : 7,79000 zł
Arkusz danych
Kanał N 500 V 10A (Tc) 48W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQPF10N50CF

Numer produktu DigiKey
FQPF10N50CF-ND
Producent
Numer produktu producenta
FQPF10N50CF
Opis
MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 500 V 10A (Tc) 48W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
610mOhm przy 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2096 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
48W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220F-3
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Zapasy z platformy handlowej: 1 782 wyświetl teraz
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.

Other Suppliers on DigiKey

1 782W magazynie
Wysyłający: Flip Electronics