Name: FQB19N20LTM
Brand: onsemi
SKU: FQB19N20LTMTR-ND
Price: 10.8978 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQB19N20LTM
Numer produktu DigiKey	FQB19N20LTMTR-ND - Taśma i szpula (TR) FQB19N20LTMCT-ND - Taśma cięta (CT) FQB19N20LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FQB19N20LTM
Opis	MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	7 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 21A (Tc) 3,13W (Ta), 140W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	QFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	21A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	140mOhm przy 10,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	35 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2200 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,13W (Ta), 140W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263 (D2PAK)
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	FQB19N20