FDP5N50NZ onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FDP5N50NZ jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

onsemi

W magazynie: 756

Cena jednostkowa : 11,49000 zł

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

W magazynie: 424

Cena jednostkowa : 5,56000 zł

Similar

Vishay Siliconix

W magazynie: 1 608

Cena jednostkowa : 9,15000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDP5N50NZ
Numer produktu DigiKey	FDP5N50NZ-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDP5N50NZ
Opis	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 500 V 4,5A (Tc) 78W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	UniFET-II™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,5Ohm przy 2,25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	440 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	78W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	FDP5