2N7002LT1H onsemi | Półprzewodniki dyskretne

2N7002LT1H jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

onsemi

W magazynie: 286 719

Cena jednostkowa : 0,84000 zł

Similar

Diodes Incorporated

W magazynie: 5 048

Cena jednostkowa : 0,84000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

2N7002LT1H
Numer produktu DigiKey	2N7002LT1H-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	2N7002LT1H
Opis	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	2N7002LT1H Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	115mA (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	7,5Ohm przy 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	50 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	225mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3 (TO-236)
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	2N7002