Name: 2N7000TA
Brand: onsemi
SKU: 2N7000TATB-ND
Price: 2.2509 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

2N7000TA
Numer produktu DigiKey	2N7000TACT-ND - Taśma cięta (CT) 2N7000TATB-ND - Taśma i skrzynka (TB)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	2N7000TA
Opis	MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Otwór przelotowy TO-92-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	2N7000TA Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma cięta (CT) Taśma i skrzynka (TB)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	200mA (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5Ohm przy 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 1mA
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	50 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	400mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-92-3
Obudowa / skrzynia	Odprowadzenia formowane TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Bazowy numer produktu	2N7000

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 82 699

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT)

Taśma i skrzynka (TB)