NTMFS4H01NFT3G onsemi | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMFS4H01NFT3G
Numer produktu DigiKey	NTMFS4H01NFT3G-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMFS4H01NFT3G
Opis	MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 54A (Ta), 334A (Tc) 3,2W (Ta), 125W (Tc) Montaż powierzchniowy 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	25 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	54A (Ta), 334A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,7mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5538 pF @ 12 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN, 5 przewodów
Bazowy numer produktu	NTMFS4