Name: PSMN3R7-100BSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN3R7-100BSEJTR-ND
Price: 26.9616 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

PSMN3R7-100BSEJ
Numer produktu DigiKey	1727-PSMN3R7-100BSEJTR-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-PSMN3R7-100BSEJCT-ND - Taśma cięta (CT) 1727-PSMN3R7-100BSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	PSMN3R7-100BSEJ
Opis	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	13 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 120A (Tc) 405W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	PSMN3R7-100BSEJ Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Nexperia USA Inc.
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	120A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,95mOhm przy 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	246 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	16370 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	405W (Tc)
Temperatura robocza	175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	PSMN3R7

Cena jednostkowa bez VAT:	21,92000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	26,96160 zł

PSMN3R7-100BSEJ