Name: PSMN1R3-80SSFJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R3-80SSFJTR-ND
Price: 36.9615 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PSMN1R3-80SSFJ
Numer produktu DigiKey	1727-PSMN1R3-80SSFJTR-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-PSMN1R3-80SSFJCT-ND - Taśma cięta (CT) 1727-PSMN1R3-80SSFJDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	PSMN1R3-80SSFJ
Opis	NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 335A (Tc) 341W (Tc) Montaż powierzchniowy LFPAK88 (SOT1235)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Nexperia USA Inc.
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	335A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,2mOhm przy 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	246 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	16647 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	341W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	LFPAK88 (SOT1235)
Obudowa / skrzynia	SOT-1235