
IXTN200N10L2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 238-IXTN200N10L2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTN200N10L2 |
Opis | MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 27 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 100 V 178A (Tc) 830W (Tc) Montaż na podstawie montażowej SOT-227B |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 100 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 11mOhm przy 100A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,5V przy 3mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 540 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 23000 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 830W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż na podstawie montażowej | |
Obudowa dostawcy urządzenia | SOT-227B | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 179,41000 zł | 179,41 zł |
| 10 | 135,50400 zł | 1 355,04 zł |
| 100 | 127,37970 zł | 12 737,97 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 179,41000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 220,67430 zł |




