IXKH47N60C nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


Microchip Technology
W magazynie: 1
Cena jednostkowa : 11,56000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 457
Cena jednostkowa : 7,47000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 507
Cena jednostkowa : 8,73000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 10,93000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 1 004
Cena jednostkowa : 5,54000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,93000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 613
Cena jednostkowa : 12,33000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 233
Cena jednostkowa : 9,17000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,41000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,41000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 2 011
Cena jednostkowa : 7,62000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 403
Cena jednostkowa : 7,92000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,86047 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,89000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 47A (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXKH47N60C

Numer produktu DigiKey
IXKH47N60C-ND
Producent
Numer produktu producenta
IXKH47N60C
Opis
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Standardowy czas realizacji przez producenta
21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 47A (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
70mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
650 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
-
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247AD
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
192,53000 zł92,53 zł
3059,49600 zł1 784,88 zł
12056,09000 zł6 730,80 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:92,53000 zł
Cena jednostkowa z VAT:113,81190 zł