Kanał N 650 V 78A (Tc) 595W (Tc) Montaż na podstawie montażowej SOT-227B
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFN100N65X2

Numer produktu DigiKey
IXFN100N65X2-ND
Producent
IXYS
Numer produktu producenta
IXFN100N65X2
Opis
MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B
Standardowy czas realizacji przez producenta
27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 78A (Tc) 595W (Tc) Montaż na podstawie montażowej SOT-227B
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
IXYS
Seria
HiPerFET™, Ultra X2
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
78A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
30mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
10800 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
595W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż na podstawie montażowej
Obudowa dostawcy urządzenia
SOT-227B
Obudowa / skrzynia
SOT-227-4, miniBLOC
Bazowy numer produktu
IXFN100
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 206
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
1122,74000 zł122,74 zł
1090,62800 zł906,28 zł
10079,47080 zł7 947,08 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:122,74000 zł
Cena jednostkowa z VAT:150,97020 zł