Name: ISC165N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC165N15NM6ATMA1TR-ND
Price: 10.7133 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ISC165N15NM6ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-ISC165N15NM6ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-ISC165N15NM6ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-ISC165N15NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	ISC165N15NM6ATMA1
Opis	TRENCH >=100V
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 8,8A (Ta), 50A (Tc) 3W (Ta), 95W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-45
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	ISC165N15NM6ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 6
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8,8A (Ta), 50A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	8V, 15V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	15,6mOhm przy 16A, 15V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 35µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	18.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1300 pF @ 75 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 95W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-45
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN