Kanał N 100 V 22A (Ta), 150A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-7
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ISC0802NLSATMA1

Numer produktu DigiKey
448-ISC0802NLSATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
448-ISC0802NLSATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT)
448-ISC0802NLSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
ISC0802NLSATMA1
Opis
MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta
17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 100 V 22A (Ta), 150A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-7
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
ISC0802NLSATMA1 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
OptiMOS™ 5
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
22A (Ta), 150A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
3,6mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2,3V przy 92µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
5190 pF @ 50 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
2,5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TDSON-8-7
Obudowa / skrzynia
8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu
ISC0802N
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 14 090
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
18,39000 zł8,39 zł
105,36400 zł53,64 zł
1003,63530 zł363,53 zł
5002,89562 zł1 447,81 zł
1 0002,65773 zł2 657,73 zł
2 0002,51027 zł5 020,54 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
5 0002,05088 zł10 254,40 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:8,39000 zł
Cena jednostkowa z VAT:10,31970 zł
Produkt powiązanyZobacz wszystko
7 Pozycje
1EDN7512BXTSA1

1EDN7512BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

2,32000 zł
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

2,71000 zł
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

4,21000 zł
2EDL23N06PJXUMA1

2EDL23N06PJXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO

Infineon Technologies

8,32000 zł
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

2,96000 zł
2ED2110S06MXUMA1

2ED2110S06MXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC

Infineon Technologies

10,39000 zł
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

3,54000 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
7 Pozycje
BSC070N10LS5ATMA1

BSC070N10LS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON

Infineon Technologies

5,04000 zł
ACT1210D-101-2P-TL00

ACT1210D-101-2P-TL00

CMC 100UH 115MA 2LN SMD AEC-Q200

TDK

5,04000 zł
BSC034N10LS5ATMA1

BSC034N10LS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON

Infineon Technologies

8,75000 zł
IR2181STRPBF

IR2181STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

8,79000 zł
ISC0805NLSATMA1

ISC0805NLSATMA1

MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON

Infineon Technologies

6,18000 zł
BSC040N10NS5ATMA1

BSC040N10NS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 100A TDSON

Infineon Technologies

10,64000 zł
DMT10H009LPS-13

DMT10H009LPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

Diodes Incorporated

5,25000 zł