Name: IRL2910STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL2910STRLPBFTR-ND
Price: 16.3467 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRL2910STRLPBF
Numer produktu DigiKey	IRL2910STRLPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRL2910STRLPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRL2910STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRL2910STRLPBF
Opis	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 55A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	55A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	26mOhm przy 29A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	140 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3700 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IRL2910