Name: IRF1404ZSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1404ZSTRLPBFTR-ND
Price: 11.6604 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IRF1404ZSTRLPBF
Numer produktu DigiKey	IRF1404ZSTRLPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF1404ZSTRLPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF1404ZSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF1404ZSTRLPBF
Opis	MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 180A (Tc) 200W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	180A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,7mOhm przy 75A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 150µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4340 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	200W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IRF1404

Cena jednostkowa bez VAT:	9,48000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	11,66040 zł

IRF1404ZSTRLPBF