Name: IQD009N06NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 25.3503 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IQD009N06NM5CGSCATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IQD009N06NM5CGSCATMA1
Opis	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardowy czas realizacji przez producenta	52 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-WHTFN-9-U02
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IQD009N06NM5CGSCATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	42A (Ta), 445A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,9mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,3V przy 163µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	12000 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-WHTFN-9-U02
Obudowa / skrzynia	9-PowerWDFN