IPW60R199CPFKSA1 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie

STW24N60DM2
STMicroelectronics
W magazynie: 678
Cena jednostkowa : 16,07000 zł
Arkusz danych

Similar

FCH190N65F-F155
onsemi
W magazynie: 381
Cena jednostkowa : 26,41000 zł
Arkusz danych

Similar

IXFH22N65X2
IXYS
W magazynie: 5 065
Cena jednostkowa : 28,36000 zł
Arkusz danych

Similar

IXFH50N60P3
IXYS
W magazynie: 357
Cena jednostkowa : 42,08000 zł
Arkusz danych

Similar

IXFX44N80Q3
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 99,95290 zł
Arkusz danych

Similar

SIHG21N65EF-GE3
Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,11282 zł
Arkusz danych

Similar

STW18N60M2
STMicroelectronics
W magazynie: 114
Cena jednostkowa : 13,68000 zł
Arkusz danych

Similar

STW24N60M2
STMicroelectronics
W magazynie: 601
Cena jednostkowa : 12,84000 zł
Arkusz danych

Similar

STW26NM60N
STMicroelectronics
W magazynie: 385
Cena jednostkowa : 28,61000 zł
Arkusz danych

Similar

STW28N60DM2
STMicroelectronics
W magazynie: 555
Cena jednostkowa : 17,46000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 600 V 16A (Tc) 139W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-1
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPW60R199CPFKSA1

Numer produktu DigiKey
IPW60R199CPFKSA1-ND
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IPW60R199CPFKSA1
Opis
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 16A (Tc) 139W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-1
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IPW60R199CPFKSA1 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
CoolMOS™
Opakowanie
Rurka
Status części
Nie do nowych projektów
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
16A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
199mOhm przy 9,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,5V przy 660µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1520 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
139W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO247-3-1
Obudowa / skrzynia
TO-247-3
Bazowy numer produktu
IPW60R199
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Nie zalecane do nowych projektów. Mogą obowiązywać minimalne ilości. Wyświetl Zamienniki.
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
2407,43371 zł1 784,09 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:7,43371 zł
Cena jednostkowa z VAT:9,14346 zł