Kanał N 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO251-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPU80R2K8CEBKMA1

Numer produktu DigiKey
IPU80R2K8CEBKMA1-ND
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IPU80R2K8CEBKMA1
Opis
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO251-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
CoolMOS™
Opakowanie
Rurka
Status części
Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
1,9A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
2,8Ohm przy 1,1A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,9V przy 120µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
290 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
42W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO251-3
Obudowa / skrzynia
TO-251-3 krótkie odpr, IPAK, TO-251AA
Bazowy numer produktu
IPU80R
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji.