Name: IAUZ40N08S5N100ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ40N08S5N100ATMA1TR-ND
Price: 7.6998 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IAUZ40N08S5N100ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IAUZ40N08S5N100ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IAUZ40N08S5N100ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IAUZ40N08S5N100ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUZ40N08S5N100ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 40A (Tc) 68W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IAUZ40N08S5N100ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	40A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 27µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	24.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1591 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	68W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN