
BSP149L6327 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 2156-BSP149L6327-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | BSP149L6327 |
Opis | N-CHANNEL POWER MOSFET |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N, z kanałem zubożonym 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Montaż powierzchniowy PG-SOT223-4-21 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Zbiorcze | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 0V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 1,8Ohm przy 660mA, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 1V przy 400µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 14 nC @ 5 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 430 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 1,8W (Ta) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-SOT223-4-21 | |
Obudowa / skrzynia |
| Zbiorcze: | 1910 |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 545 | 2,01761 zł | 1 099,60 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 2,01761 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 2,48166 zł |


