Name: BSC033N08NS5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC033N08NS5SCATMA1TR-ND
Price: 17.8719 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSC033N08NS5SCATMA1
Numer produktu DigiKey	448-BSC033N08NS5SCATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-BSC033N08NS5SCATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-BSC033N08NS5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC033N08NS5SCATMA1
Opis	TRENCH 40<-<100V
Standardowy czas realizacji przez producenta	52 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 144A (Tc) 136W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-WSON-8-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC033N08NS5SCATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	144A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,3mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 76µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4600 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	136W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-WSON-8-2
Obudowa / skrzynia	8-PowerWDFN
Bazowy numer produktu	BSC033