EPC2619ENGRT EPC | Półprzewodniki dyskretne

EPC2619ENGRT jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

EPC

W magazynie: 13 518

Cena jednostkowa : 16,76000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

EPC2619ENGRT
Numer produktu DigiKey	917-EPC2619ENGRTTR-ND - Taśma i szpula (TR) 917-EPC2619ENGRTCT-ND - Taśma cięta (CT) 917-EPC2619ENGRTDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	EPC
Numer produktu producenta	EPC2619ENGRT
Opis	TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 29A (Ta) Montaż powierzchniowy Szczęka
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	EPC
Seria	eGaN®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	29A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,3mOhm przy 16A, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 5,5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8.3 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	+6V, -4V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1180 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	-
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	Szczęka
Obudowa / skrzynia	Szczęka