EPC2015 EPC | Półprzewodniki dyskretne

EPC2015 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie

EPC

W magazynie: 11 751

Cena jednostkowa : 21,59000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

EPC2015
Numer produktu DigiKey	917-1019-2-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	EPC
Numer produktu producenta	EPC2015
Opis	GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 33A (Ta) Montaż powierzchniowy Szczęka
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	EPC
Seria	eGaN®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	33A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4mOhm przy 33A, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 9mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	11.6 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	+6V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1200 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	-
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	Szczęka
Obudowa / skrzynia	Szczęka
Bazowy numer produktu	EPC20