
DI022N20PQ-AQ | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 4878-DI022N20PQ-AQ-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | DI022N20PQ-AQ |
Opis | MOSFET N-CH 200V 22A 8-POWERTDFN |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 8 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 200 V 22A (Tc) 60W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-QFN (5x6) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | DI022N20PQ-AQ Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Zbiorcze | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 50mOhm przy 20A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 16 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1100 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 60W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | Motoryzacja | |
Kwalifikacja | AEC-Q101 | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-QFN (5x6) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 7,93000 zł | 7,93 zł |
| 10 | 5,08200 zł | 50,82 zł |
| 100 | 3,45280 zł | 345,28 zł |
| 500 | 2,75504 zł | 1 377,52 zł |
| 1 000 | 2,53069 zł | 2 530,69 zł |
| 2 000 | 2,34206 zł | 4 684,12 zł |
| 5 000 | 2,16695 zł | 10 834,75 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,93000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,75390 zł |



