Name: DMN3065LW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3065LW-13DITR-ND
Price: 2.1156 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN3065LW-13
Numer produktu DigiKey	DMN3065LW-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN3065LW-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN3065LW-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN3065LW-13
Opis	MOSFET N-CH 30V 4A SOT323
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 4A (Ta) 770mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-323
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMN3065LW-13 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	52mOhm przy 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	11.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	465 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	770mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-323
Obudowa / skrzynia	SC-70, SOT-323
Bazowy numer produktu	DMN3065

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 92 191

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®