CDM2206-800LR SL PBFREE Central Semiconductor Corp | Półprzewodniki dyskretne

CDM2206-800LR SL PBFREE jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Rochester Electronics, LLC

W magazynie: 73 775

Cena jednostkowa : 5,93000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 445

Cena jednostkowa : 10,54000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 867

Cena jednostkowa : 12,99000 zł

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

W magazynie: 70

Cena jednostkowa : 15,99000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

CDM2206-800LR SL PBFREE
Numer produktu DigiKey	1514-CDM2206-800LRSLPBFREE-ND
Producent	Central Semiconductor Corp
Numer produktu producenta	CDM2206-800LR SL PBFREE
Opis	MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 800 V 6A (Tc) 110W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Central Semiconductor Corp
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	800 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	950mOhm przy 3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	24.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	30V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	110W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	CDM2206