Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
EPC2100 Transistors and EPC9036 Dev Board
EPC's monolithic eGaN® half-bridge transistors
Enhancement-mode monolithic half-bridge GaN transistors from EPC further widen the efficiency gap between eGaN® technology and traditional silicon. Monolithic half-bridge devices save space, improve efficiency, and lower system costs.
Increase Efficiency - Monolithic half-bridge devices eliminate interconnect inductances for higher efficiency – especially at higher frequencies.
Save Board Space - Monolithic devices save 60% of power stage real-estate on the PCB.
Simplifying GaN - Monolithic devices increase manufacturing efficiencies while reducing assembly costs.
EPC2100 Transistor
| Obraz | Manufacturer Part Number | Opis | Charakterystyka FET | Napięcie dren-źródło (Vdss) | Dostępna ilość | Cena | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | EPC2100 | MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE | - | 30V | 220 - Immediate | $39.38 | Wyświetl szczegóły |
EPC9036 Dev Board
| Obraz | Manufacturer Part Number | Opis | Funkcja | Wbudowane | Wykorzystywany układ scalony / część | Dostępna ilość | Cena | Wyświetl szczegóły | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | EPC9036 | EVAL BOARD FOR EPC2100 | Sterownik półmostka H (zewnętrzny FET) | Brak | EPC2100 | 0 - Immediate | See Page for Pricing | Wyświetl szczegóły |
Updated: 2019-04-30
Published: 2014-09-23
Polska