PLN | EUR | USD
Indeks produktów > Układy scalone (IC) > PMIC - sterowniki bramek

PMIC - sterowniki bramek

Wyniki: 8 243
8 243 Pozostało
Opcje filtra:
Producent
Przezroczyste
Opakowanie
Przezroczyste
Seria
Przezroczyste
Status części
Przezroczyste
Konfiguracja sterowana
Przezroczyste
Typ kanału
Przezroczyste
Liczba sterowników
Przezroczyste
Typ bramki
Przezroczyste
Napięcie - zasilania
Przezroczyste
Napięcie logiczne - VIL, VIH
Przezroczyste
Prąd - szczytowy wyjściowy (źródło, wpływ)
Przezroczyste
Typ wejścia
Przezroczyste
Napięcie strony wysokiej - maks. (bootstrap)

Przezroczyste
Czas narastania / opadania (typ.)
Przezroczyste
Temperatura robocza
Przezroczyste
Typ mocowania
Przezroczyste
Obudowa / skrzynia
Przezroczyste
Obudowa dostawcy urządzenia
Przezroczyste
Więcej filtrów
Mniej filtrów
Sortuj wyniki według:
Wyświetl ceny na:
  • Stan magazynowy
  • Dostępne nośniki
  • Środowisko
8 243 Pozostało
Wyniki na stronę
Strona 1/330
|< < 1 2 3 4 5 >|
Porównaj części Datasheets Obraz Numer katalogowy Digi-Key Numer katalogowy producenta Producent Opis Ilość dostępna
Cena jednostkowa
PLN
Minimalna ilość Opakowanie Seria Status części Konfiguracja sterowana Typ kanału Liczba sterowników Typ bramki Napięcie - zasilania Napięcie logiczne - VIL, VIH Prąd - szczytowy wyjściowy (źródło, wpływ) Typ wejścia Napięcie strony wysokiej - maks. (bootstrap) Czas narastania / opadania (typ.) Temperatura robocza Typ mocowania Obudowa / skrzynia Obudowa dostawcy urządzenia
   
ZXGD3009E6TA Datasheet ZXGD3009E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3009E6TADITR-ND ZXGD3009E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 15 000 - Natychmiastowe Dostępne: 15 000 0,50504 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
Automotive, AEC-Q101 Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 40V (maks.)
-
2A, 2A Bez inwersji
-
210ns, 240ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3009E6TA Datasheet ZXGD3009E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3009E6TADICT-ND ZXGD3009E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 17 643 - Natychmiastowe Dostępne: 17 643 1,51000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
Automotive, AEC-Q101 Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 40V (maks.)
-
2A, 2A Bez inwersji
-
210ns, 240ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3009E6TA Datasheet ZXGD3009E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3009E6TADIDKR-ND ZXGD3009E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 17 643 - Natychmiastowe Dostępne: 17 643 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
Automotive, AEC-Q101 Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 40V (maks.)
-
2A, 2A Bez inwersji
-
210ns, 240ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
SLG55021-200010VTR Datasheet SLG55021-200010VTR - Dialog Semiconductor GmbH 1827-1047-2-ND SLG55021-200010VTR IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN 12 000 - Natychmiastowe Dostępne: 12 000 0,60604 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Strona wysoka Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,75V - 5,25V 0,4V, 5,5V 32µA, 400µA HCMOS
-
-
-55°C - 125°C Montaż powierzchniowy 8-WFDFN podkładka odsłonięta 8-TDFN (2x2)
SLG55021-200010VTR Datasheet SLG55021-200010VTR - Dialog Semiconductor GmbH 1827-1047-1-ND SLG55021-200010VTR IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN 15 275 - Natychmiastowe Dostępne: 15 275 1,82000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Strona wysoka Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,75V - 5,25V 0,4V, 5,5V 32µA, 400µA HCMOS
-
-
-55°C - 125°C Montaż powierzchniowy 8-WFDFN podkładka odsłonięta 8-TDFN (2x2)
SLG55021-200010VTR Datasheet SLG55021-200010VTR - Dialog Semiconductor GmbH 1827-1047-6-ND SLG55021-200010VTR IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN 15 275 - Natychmiastowe Dostępne: 15 275 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Strona wysoka Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,75V - 5,25V 0,4V, 5,5V 32µA, 400µA HCMOS
-
-
-55°C - 125°C Montaż powierzchniowy 8-WFDFN podkładka odsłonięta 8-TDFN (2x2)
DGD0506AM10-13 Datasheet DGD0506AM10-13 - Diodes Incorporated DGD0506AM10-13DITR-ND DGD0506AM10-13 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP 17 500 - Natychmiastowe Dostępne: 17 500 0,64533 zł 2 500 Minimum: 2 500 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Synchroniczny 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 8V - 14V 0,8V, 2,4V 1,5A, 2A Bez inwersji 50V 17ns, 12ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 10-TFSOP, 10-MSOP (szerokość 0,118", 3,00mm) 10-MSOP
DGD0506AM10-13 Datasheet DGD0506AM10-13 - Diodes Incorporated DGD0506AM10-13DICT-ND DGD0506AM10-13 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP 22 888 - Natychmiastowe Dostępne: 22 888 1,94000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Synchroniczny 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 8V - 14V 0,8V, 2,4V 1,5A, 2A Bez inwersji 50V 17ns, 12ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 10-TFSOP, 10-MSOP (szerokość 0,118", 3,00mm) 10-MSOP
DGD0506AM10-13 Datasheet DGD0506AM10-13 - Diodes Incorporated DGD0506AM10-13DIDKR-ND DGD0506AM10-13 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP 22 888 - Natychmiastowe Dostępne: 22 888 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Synchroniczny 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 8V - 14V 0,8V, 2,4V 1,5A, 2A Bez inwersji 50V 17ns, 12ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 10-TFSOP, 10-MSOP (szerokość 0,118", 3,00mm) 10-MSOP
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADITR-ND ZXGD3005E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 18 000 - Natychmiastowe Dostępne: 18 000 0,72950 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
Automotive, AEC-Q101 Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 25V (maks.)
-
10A, 10A Bez inwersji
-
48ns, 35ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADICT-ND ZXGD3005E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 19 797 - Natychmiastowe Dostępne: 19 797 2,21000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
Automotive, AEC-Q101 Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 25V (maks.)
-
10A, 10A Bez inwersji
-
48ns, 35ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADIDKR-ND ZXGD3005E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 19 797 - Natychmiastowe Dostępne: 19 797 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
Automotive, AEC-Q101 Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 25V (maks.)
-
10A, 10A Bez inwersji
-
48ns, 35ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADITR-ND ZXGD3006E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 39 000 - Natychmiastowe Dostępne: 39 000 0,78368 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
Automotive, AEC-Q101 Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maks.)
-
10A, 10A Bez inwersji
-
48ns, 35ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADICT-ND ZXGD3006E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 41 537 - Natychmiastowe Dostępne: 41 537 2,17000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
Automotive, AEC-Q101 Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maks.)
-
10A, 10A Bez inwersji
-
48ns, 35ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADIDKR-ND ZXGD3006E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 41 537 - Natychmiastowe Dostępne: 41 537 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
Automotive, AEC-Q101 Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maks.)
-
10A, 10A Bez inwersji
-
48ns, 35ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6TR-ND ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 15 000 - Natychmiastowe Dostępne: 15 000 0,81502 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 40V (maks.)
-
5A, 5A Bez inwersji
-
8,9ns, 8,9ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6CT-ND ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 18 838 - Natychmiastowe Dostępne: 18 838 2,28000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 40V (maks.)
-
5A, 5A Bez inwersji
-
8,9ns, 8,9ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6DKR-ND ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 18 838 - Natychmiastowe Dostępne: 18 838 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 40V (maks.)
-
5A, 5A Bez inwersji
-
8,9ns, 8,9ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ADP3120AJCPZ-RL Datasheet ADP3120AJCPZ-RL - ON Semiconductor ADP3120AJCPZ-RLTR-ND ADP3120AJCPZ-RL IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN 12 000 - Natychmiastowe Dostępne: 12 000 0,88817 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Synchroniczny 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,6V - 13,2V 0,8V, 2V
-
Odwracający, nieodwracający 35V 20ns, 11ns -20°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 8-VFDFN podkładka odsłonięta 8-DFN (3x3)
ADP3120AJCPZ-RL Datasheet ADP3120AJCPZ-RL - ON Semiconductor ADP3120AJCPZ-RLCT-ND ADP3120AJCPZ-RL IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN 12 892 - Natychmiastowe Dostępne: 12 892 2,48000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Synchroniczny 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,6V - 13,2V 0,8V, 2V
-
Odwracający, nieodwracający 35V 20ns, 11ns -20°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 8-VFDFN podkładka odsłonięta 8-DFN (3x3)
ADP3120AJCPZ-RL Datasheet ADP3120AJCPZ-RL - ON Semiconductor ADP3120AJCPZ-RLDKR-ND ADP3120AJCPZ-RL IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN 12 892 - Natychmiastowe Dostępne: 12 892 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Synchroniczny 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,6V - 13,2V 0,8V, 2V
-
Odwracający, nieodwracający 35V 20ns, 11ns -20°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 8-VFDFN podkładka odsłonięta 8-DFN (3x3)
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADITR-ND ZXGD3006E6QTA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 18 000 - Natychmiastowe Dostępne: 18 000 0,94041 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maks.)
-
10A, 10A Bez inwersji
-
48ns, 35ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADICT-ND ZXGD3006E6QTA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 23 556 - Natychmiastowe Dostępne: 23 556 2,63000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maks.)
-
10A, 10A Bez inwersji
-
48ns, 35ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADIDKR-ND ZXGD3006E6QTA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 23 556 - Natychmiastowe Dostępne: 23 556 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maks.)
-
10A, 10A Bez inwersji
-
48ns, 35ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6TR-ND ZXGD3004E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 93 000 - Natychmiastowe Dostępne: 93 000 1,05012 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 40V (maks.)
-
8A, 8A Bez inwersji
-
13,4ns, 12,4ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
Wyniki na stronę
Strona 1/330
|< < 1 2 3 4 5 >|

04:22:08 11-26-2020