PLN | EUR | USD
Indeks produktów > Układy scalone (IC) > PMIC - sterowniki bramek

PMIC - sterowniki bramek

Wyniki: 9 440
9 440 Pozostało
Opcje filtra:
Producent
Przezroczyste
Opakowanie
Przezroczyste
Seria
Przezroczyste
Status części
Przezroczyste
Konfiguracja sterowana
Przezroczyste
Typ kanału
Przezroczyste
Liczba sterowników
Przezroczyste
Typ bramki
Przezroczyste
Napięcie - zasilania
Przezroczyste
Napięcie logiczne - VIL, VIH
Przezroczyste
Prąd - szczytowy wyjściowy (źródło, wpływ)
Przezroczyste
Typ wejścia
Przezroczyste
Napięcie strony wysokiej - maks. (bootstrap)

Przezroczyste
Czas narastania / opadania (typ.)
Przezroczyste
Temperatura robocza
Przezroczyste
Typ mocowania
Przezroczyste
Obudowa / skrzynia
Przezroczyste
Obudowa dostawcy urządzenia
Przezroczyste
Więcej filtrów
Mniej filtrów
Sortuj wyniki według:
Wyświetl ceny na:
  • Stan magazynowy
  • Dostępne nośniki
  • Środowisko
  • PRODUKT Z PLATFORMY HANDLOWEJ
9 440 Pozostało
Wyniki na stronę
Strona 1/378
|< < 1 2 3 4 5 >|
Porównaj części Datasheets Obraz Numer katalogowy Digi-Key Numer katalogowy producenta Producent Opis Ilość dostępna
Cena jednostkowa
PLN
Minimalna ilość Opakowanie Seria Status części Konfiguracja sterowana Typ kanału Liczba sterowników Typ bramki Napięcie - zasilania Napięcie logiczne - VIL, VIH Prąd - szczytowy wyjściowy (źródło, wpływ) Typ wejścia Napięcie strony wysokiej - maks. (bootstrap) Czas narastania / opadania (typ.) Temperatura robocza Typ mocowania Obudowa / skrzynia Obudowa dostawcy urządzenia
   
SLG55021-200010VTR Datasheet SLG55021-200010VTR - Dialog Semiconductor GmbH 1827-1047-2-ND SLG55021-200010VTR IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN 24 000 - Natychmiastowe Dostępne: 24 000 0,58882 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Strona wysoka Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,75V - 5,25V 0,4V, 5,5V 32µA, 400µA HCMOS
-
-
-55°C - 125°C Montaż powierzchniowy 8-WFDFN podkładka odsłonięta 8-TDFN (2x2)
SLG55021-200010VTR Datasheet SLG55021-200010VTR - Dialog Semiconductor GmbH 1827-1047-1-ND SLG55021-200010VTR IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN 28 208 - Natychmiastowe Dostępne: 28 208 1,77000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Strona wysoka Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,75V - 5,25V 0,4V, 5,5V 32µA, 400µA HCMOS
-
-
-55°C - 125°C Montaż powierzchniowy 8-WFDFN podkładka odsłonięta 8-TDFN (2x2)
SLG55021-200010VTR Datasheet SLG55021-200010VTR - Dialog Semiconductor GmbH 1827-1047-6-ND SLG55021-200010VTR IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN 28 208 - Natychmiastowe Dostępne: 28 208 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Strona wysoka Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,75V - 5,25V 0,4V, 5,5V 32µA, 400µA HCMOS
-
-
-55°C - 125°C Montaż powierzchniowy 8-WFDFN podkładka odsłonięta 8-TDFN (2x2)
DGD0506AM10-13 Datasheet DGD0506AM10-13 - Diodes Incorporated DGD0506AM10-13DITR-ND DGD0506AM10-13 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP 10 000 - Natychmiastowe Dostępne: 10 000 0,66460 zł 2 500 Minimum: 2 500 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Synchroniczny 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 8V - 14V 0,8V, 2,4V 1,5A, 2A Bez inwersji 50V 17ns, 12ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 10-TFSOP, 10-MSOP (szerokość 0,118", 3,00mm) 10-MSOP
DGD0506AM10-13 Datasheet DGD0506AM10-13 - Diodes Incorporated DGD0506AM10-13DICT-ND DGD0506AM10-13 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP 14 682 - Natychmiastowe Dostępne: 14 682 1,99000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Synchroniczny 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 8V - 14V 0,8V, 2,4V 1,5A, 2A Bez inwersji 50V 17ns, 12ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 10-TFSOP, 10-MSOP (szerokość 0,118", 3,00mm) 10-MSOP
DGD0506AM10-13 Datasheet DGD0506AM10-13 - Diodes Incorporated DGD0506AM10-13DIDKR-ND DGD0506AM10-13 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP 14 682 - Natychmiastowe Dostępne: 14 682 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Synchroniczny 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 8V - 14V 0,8V, 2,4V 1,5A, 2A Bez inwersji 50V 17ns, 12ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 10-TFSOP, 10-MSOP (szerokość 0,118", 3,00mm) 10-MSOP
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADITR-ND ZXGD3005E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 75 000 - Natychmiastowe Dostępne: 75 000 0,75129 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
Automotive, AEC-Q101 Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 25V (maks.)
-
10A, 10A Bez inwersji
-
48ns, 35ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADICT-ND ZXGD3005E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 76 054 - Natychmiastowe Dostępne: 76 054 2,26000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
Automotive, AEC-Q101 Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 25V (maks.)
-
10A, 10A Bez inwersji
-
48ns, 35ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADIDKR-ND ZXGD3005E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 76 054 - Natychmiastowe Dostępne: 76 054 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
Automotive, AEC-Q101 Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 25V (maks.)
-
10A, 10A Bez inwersji
-
48ns, 35ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6TR-ND ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 12 000 - Natychmiastowe Dostępne: 12 000 0,83937 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 40V (maks.)
-
5A, 5A Bez inwersji
-
8,9ns, 8,9ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6CT-ND ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 13 525 - Natychmiastowe Dostępne: 13 525 2,33000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 40V (maks.)
-
5A, 5A Bez inwersji
-
8,9ns, 8,9ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6DKR-ND ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 13 525 - Natychmiastowe Dostępne: 13 525 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 40V (maks.)
-
5A, 5A Bez inwersji
-
8,9ns, 8,9ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6TR-ND ZXGD3004E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 45 000 - Natychmiastowe Dostępne: 45 000 1,08149 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 40V (maks.)
-
8A, 8A Bez inwersji
-
13,4ns, 12,4ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6CT-ND ZXGD3004E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 46 510 - Natychmiastowe Dostępne: 46 510 3,01000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 40V (maks.)
-
8A, 8A Bez inwersji
-
13,4ns, 12,4ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6DKR-ND ZXGD3004E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 46 510 - Natychmiastowe Dostępne: 46 510 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 40V (maks.)
-
8A, 8A Bez inwersji
-
13,4ns, 12,4ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6TR-ND ZXGD3002E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 6 000 - Natychmiastowe Dostępne: 6 000 1,08149 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 20V (maks.)
-
9A, 9A Bez inwersji
-
8,3ns, 10,8ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6CT-ND ZXGD3002E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 8 347 - Natychmiastowe Dostępne: 8 347 3,01000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 20V (maks.)
-
9A, 9A Bez inwersji
-
8,3ns, 10,8ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6DKR-ND ZXGD3002E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 8 347 - Natychmiastowe Dostępne: 8 347 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 20V (maks.)
-
9A, 9A Bez inwersji
-
8,3ns, 10,8ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
IRS2005STRPBF Datasheet IRS2005STRPBF - Infineon Technologies IRS2005STRPBFTR-ND IRS2005STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 12 500 - Natychmiastowe Dostępne: 12 500 1,09159 zł 2 500 Minimum: 2 500 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Niezależne 2 IGBT, kanał N MOSFET 10V - 20V 0,8V, 2,5V 290mA, 600mA Bez inwersji 200V 70ns, 30ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) 8-SOIC
IRS2005STRPBF Datasheet IRS2005STRPBF - Infineon Technologies IRS2005STRPBFCT-ND IRS2005STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 12 667 - Natychmiastowe Dostępne: 12 667 3,05000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Niezależne 2 IGBT, kanał N MOSFET 10V - 20V 0,8V, 2,5V 290mA, 600mA Bez inwersji 200V 70ns, 30ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) 8-SOIC
IRS2005STRPBF Datasheet IRS2005STRPBF - Infineon Technologies IRS2005STRPBFDKR-ND IRS2005STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 12 667 - Natychmiastowe Dostępne: 12 667 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Niezależne 2 IGBT, kanał N MOSFET 10V - 20V 0,8V, 2,5V 290mA, 600mA Bez inwersji 200V 70ns, 30ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) 8-SOIC
FAN3111ESX Datasheet FAN3111ESX - ON Semiconductor FAN3111ESXTR-ND FAN3111ESX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 48 000 - Natychmiastowe Dostępne: 48 000 1,21062 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,5V - 18V
-
1,4A, 1,4A Bez inwersji
-
9ns, 8ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3111ESX Datasheet FAN3111ESX - ON Semiconductor FAN3111ESXCT-ND FAN3111ESX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 48 655 - Natychmiastowe Dostępne: 48 655 3,35000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,5V - 18V
-
1,4A, 1,4A Bez inwersji
-
9ns, 8ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3111ESX Datasheet FAN3111ESX - ON Semiconductor FAN3111ESXDKR-ND FAN3111ESX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 48 655 - Natychmiastowe Dostępne: 48 655 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,5V - 18V
-
1,4A, 1,4A Bez inwersji
-
9ns, 8ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3111CSX Datasheet FAN3111CSX - ON Semiconductor FAN3111CSXTR-ND FAN3111CSX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 30 000 - Natychmiastowe Dostępne: 30 000 1,21062 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,5V - 18V
-
1,4A, 1,4A Odwracający, nieodwracający
-
9ns, 8ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
Wyniki na stronę
Strona 1/378
|< < 1 2 3 4 5 >|

04:25:30 2-27-2021