PLN | EUR | USD
Indeks produktów > Układy scalone (IC) > PMIC - sterowniki bramek

PMIC - sterowniki bramek

Wyniki: 8 282
8 282 Pozostało
Opcje filtra:
Producent
Przezroczyste
Opakowanie
Przezroczyste
Seria
Przezroczyste
Status części
Przezroczyste
Konfiguracja sterowana
Przezroczyste
Typ kanału
Przezroczyste
Liczba sterowników
Przezroczyste
Typ bramki
Przezroczyste
Napięcie - zasilania
Przezroczyste
Napięcie logiczne - VIL, VIH
Przezroczyste
Prąd - szczytowy wyjściowy (źródło, wpływ)
Przezroczyste
Typ wejścia
Przezroczyste
Napięcie strony wysokiej - maks. (bootstrap)

Przezroczyste
Czas narastania / opadania (typ.)
Przezroczyste
Temperatura robocza
Przezroczyste
Typ mocowania
Przezroczyste
Obudowa / skrzynia
Przezroczyste
Obudowa dostawcy urządzenia
Przezroczyste
Więcej filtrów
Mniej filtrów
Sortuj wyniki według:
Wyświetl ceny na:
  • Stan magazynowy
  • Dostępne nośniki
  • Środowisko
  • PRODUKT Z PLATFORMY HANDLOWEJ
8 282 Pozostało
Wyniki na stronę
Strona 1/332
|< < 1 2 3 4 5 >|
Porównaj części Datasheets Obraz Numer katalogowy Digi-Key Numer katalogowy producenta Producent Opis Ilość dostępna
Cena jednostkowa
PLN
Minimalna ilość Opakowanie Seria Status części Konfiguracja sterowana Typ kanału Liczba sterowników Typ bramki Napięcie - zasilania Napięcie logiczne - VIL, VIH Prąd - szczytowy wyjściowy (źródło, wpływ) Typ wejścia Napięcie strony wysokiej - maks. (bootstrap) Czas narastania / opadania (typ.) Temperatura robocza Typ mocowania Obudowa / skrzynia Obudowa dostawcy urządzenia
   
ZXGD3009E6TA Datasheet ZXGD3009E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3009E6TADITR-ND ZXGD3009E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 15 000 - Natychmiastowe Dostępne: 15 000 0,49164 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
Automotive, AEC-Q101 Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 40V (maks.)
-
2A, 2A Bez inwersji
-
210ns, 240ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3009E6TA Datasheet ZXGD3009E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3009E6TADICT-ND ZXGD3009E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 17 188 - Natychmiastowe Dostępne: 17 188 1,49000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
Automotive, AEC-Q101 Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 40V (maks.)
-
2A, 2A Bez inwersji
-
210ns, 240ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3009E6TA Datasheet ZXGD3009E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3009E6TADIDKR-ND ZXGD3009E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 17 188 - Natychmiastowe Dostępne: 17 188 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
Automotive, AEC-Q101 Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 40V (maks.)
-
2A, 2A Bez inwersji
-
210ns, 240ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6TR-ND ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 3 000 - Natychmiastowe Dostępne: 3 000 0,79340 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 40V (maks.)
-
5A, 5A Bez inwersji
-
8,9ns, 8,9ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6CT-ND ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 8 183 - Natychmiastowe Dostępne: 8 183 2,20000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 40V (maks.)
-
5A, 5A Bez inwersji
-
8,9ns, 8,9ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6DKR-ND ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 8 183 - Natychmiastowe Dostępne: 8 183 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 40V (maks.)
-
5A, 5A Bez inwersji
-
8,9ns, 8,9ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ADP3120AJCPZ-RL Datasheet ADP3120AJCPZ-RL - ON Semiconductor ADP3120AJCPZ-RLTR-ND ADP3120AJCPZ-RL IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN 3 000 - Natychmiastowe Dostępne: 3 000 0,85604 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Synchroniczny 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,6V - 13,2V 0,8V, 2V
-
Odwracający, nieodwracający 35V 20ns, 11ns -20°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 8-VFDFN podkładka odsłonięta 8-DFN (3x3)
ADP3120AJCPZ-RL Datasheet ADP3120AJCPZ-RL - ON Semiconductor ADP3120AJCPZ-RLCT-ND ADP3120AJCPZ-RL IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN 4 093 - Natychmiastowe Dostępne: 4 093 2,39000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Synchroniczny 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,6V - 13,2V 0,8V, 2V
-
Odwracający, nieodwracający 35V 20ns, 11ns -20°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 8-VFDFN podkładka odsłonięta 8-DFN (3x3)
ADP3120AJCPZ-RL Datasheet ADP3120AJCPZ-RL - ON Semiconductor ADP3120AJCPZ-RLDKR-ND ADP3120AJCPZ-RL IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN 4 093 - Natychmiastowe Dostępne: 4 093 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Synchroniczny 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,6V - 13,2V 0,8V, 2V
-
Odwracający, nieodwracający 35V 20ns, 11ns -20°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 8-VFDFN podkładka odsłonięta 8-DFN (3x3)
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADITR-ND ZXGD3006E6QTA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 15 000 - Natychmiastowe Dostępne: 15 000 0,91545 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maks.)
-
10A, 10A Bez inwersji
-
48ns, 35ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADICT-ND ZXGD3006E6QTA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 17 121 - Natychmiastowe Dostępne: 17 121 2,54000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maks.)
-
10A, 10A Bez inwersji
-
48ns, 35ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADIDKR-ND ZXGD3006E6QTA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 17 121 - Natychmiastowe Dostępne: 17 121 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maks.)
-
10A, 10A Bez inwersji
-
48ns, 35ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-26
IRS2008STRPBF Datasheet IRS2008STRPBF - Infineon Technologies IRS2008STRPBFTR-ND IRS2008STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 7 500 - Natychmiastowe Dostępne: 7 500 0,98444 zł 2 500 Minimum: 2 500 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Synchroniczny 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 10V - 20V 0,8V, 2,5V 290mA, 600mA Bez inwersji 200V 70ns, 30ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) 8-SOIC
IRS2008STRPBF Datasheet IRS2008STRPBF - Infineon Technologies IRS2008STRPBFCT-ND IRS2008STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 9 537 - Natychmiastowe Dostępne: 9 537 2,72000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Synchroniczny 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 10V - 20V 0,8V, 2,5V 290mA, 600mA Bez inwersji 200V 70ns, 30ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) 8-SOIC
IRS2008STRPBF Datasheet IRS2008STRPBF - Infineon Technologies IRS2008STRPBFDKR-ND IRS2008STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 9 537 - Natychmiastowe Dostępne: 9 537 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Synchroniczny 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 10V - 20V 0,8V, 2,5V 290mA, 600mA Bez inwersji 200V 70ns, 30ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) 8-SOIC
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6TR-ND ZXGD3004E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 111 000 - Natychmiastowe Dostępne: 111 000 1,02226 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 40V (maks.)
-
8A, 8A Bez inwersji
-
13,4ns, 12,4ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6CT-ND ZXGD3004E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 112 777 - Natychmiastowe Dostępne: 112 777 2,83000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 40V (maks.)
-
8A, 8A Bez inwersji
-
13,4ns, 12,4ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6DKR-ND ZXGD3004E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 112 777 - Natychmiastowe Dostępne: 112 777 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 40V (maks.)
-
8A, 8A Bez inwersji
-
13,4ns, 12,4ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6TR-ND ZXGD3002E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 9 000 - Natychmiastowe Dostępne: 9 000 1,02226 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 20V (maks.)
-
9A, 9A Bez inwersji
-
8,3ns, 10,8ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6CT-ND ZXGD3002E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 9 552 - Natychmiastowe Dostępne: 9 552 2,83000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 20V (maks.)
-
9A, 9A Bez inwersji
-
8,3ns, 10,8ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6DKR-ND ZXGD3002E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 9 552 - Natychmiastowe Dostępne: 9 552 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N MOSFET 20V (maks.)
-
9A, 9A Bez inwersji
-
8,3ns, 10,8ns -55°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SOT-23-6 SOT-23-6
DGD05473FN-7 Datasheet DGD05473FN-7 - Diodes Incorporated DGD05473FN-7DITR-ND DGD05473FN-7 IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 3 000 - Natychmiastowe Dostępne: 3 000 1,08480 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Niezależne 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 0,3V - 60V 0,8V, 2,4V 1,5A, 2,5A HCMOS/TTL 50V 16ns, 12ns -40°C - 125°C (TA) Montaż powierzchniowy 10-WFDFN, podkładka odsłonięta W-DFN3030-10
DGD05473FN-7 Datasheet DGD05473FN-7 - Diodes Incorporated DGD05473FN-7DICT-ND DGD05473FN-7 IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 6 965 - Natychmiastowe Dostępne: 6 965 3,02000 zł 1 Minimum: 1 Taśma cięta (CT)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Niezależne 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 0,3V - 60V 0,8V, 2,4V 1,5A, 2,5A HCMOS/TTL 50V 16ns, 12ns -40°C - 125°C (TA) Montaż powierzchniowy 10-WFDFN, podkładka odsłonięta W-DFN3030-10
DGD05473FN-7 Datasheet DGD05473FN-7 - Diodes Incorporated DGD05473FN-7DIDKR-ND DGD05473FN-7 IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 6 965 - Natychmiastowe Dostępne: 6 965 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Półmostkowa Niezależne 2 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 0,3V - 60V 0,8V, 2,4V 1,5A, 2,5A HCMOS/TTL 50V 16ns, 12ns -40°C - 125°C (TA) Montaż powierzchniowy 10-WFDFN, podkładka odsłonięta W-DFN3030-10
FAN3111ESX Datasheet FAN3111ESX - ON Semiconductor FAN3111ESXTR-ND FAN3111ESX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 9 000 - Natychmiastowe Dostępne: 9 000 1,13299 zł 3 000 Minimum: 3 000 Taśma i szpula (TR)
Opakowanie alternatywne
-
Aktywny Dolna strona Pojedynczy 1 IGBT, kanał N, kanał P MOSFET 4,5V - 18V
-
1,4A, 1,4A Bez inwersji
-
9ns, 8ns -40°C - 150°C (TJ) Montaż powierzchniowy SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
Wyniki na stronę
Strona 1/332
|< < 1 2 3 4 5 >|

21:31:34 9-23-2020