Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Wyniki : 3
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
PRODUKT Z PLATFORMY HANDLOWEJ
3Wyniki
Zastosowane filtry Usuń wszystkie

Wyświetlanie
z 3
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Vgs (maks.)
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Charakterystyka FET
Straty mocy (maks.)
Temperatura robocza
Typ mocowania
Obudowa dostawcy urządzenia
Obudowa / skrzynia
IRFP254PBF
SIHS36N50D-GE3
D SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Vishay Siliconix
523
W magazynie
1 : 31,70000 zł
Rurka
Rurka
Nieaktualne
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
500 V
36A (Tc)
10V
130mOhm przy 18A, 10V
5V przy 250µA
125 nC @ 10 V
±30V
3233 pF @ 100 V
-
446W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
Otwór przelotowy
TO-247AC
TO-247-3
SIHD5N80AE-GE3
SIHD3N50DT4-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Vishay Siliconix
0
W magazynie
3 000 : 1,37495 zł
Rurka
Rurka
Nieaktualne
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
500 V
3A (Tc)
10V
3,2Ohm przy 1,5A, 10V
5V przy 250µA
12 nC @ 10 V
±30V
175 pF @ 100 V
-
69W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
Montaż powierzchniowy
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
SIHD5N80AE-GE3
SIHD3N50D-BE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Vishay Siliconix
0
W magazynie
3 000 : 1,37495 zł
Rurka
Rurka
Nieaktualne
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
500 V
3A (Tc)
10V
3,2Ohm przy 1,5A, 10V
5V przy 250µA
12 nC @ 10 V
±30V
175 pF @ 100 V
-
69W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
Montaż powierzchniowy
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Wyświetlanie
z 3

Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze


Dyskretne tranzystory polowe (FET) są szeroko używane w przekształtnikach mocy, sterowaniu silnikami, oświetleniu półprzewodnikowym i innych zastosowaniach, gdzie wykorzystywane są ich charakterystyczne zdolności przełączania z wysokimi częstotliwościami, przy jednoczesnym przenoszeniu prądów o znacznym natężeniu. Są one używane najczęściej w zastosowaniach wymagających napięć znamionowych do kilkuset woltów. Przy wyższych napięciach korzystniejsze jest stosowanie urządzeń innego typu, np. tranzystorów IGBT.