11A (Ta), 40A (Tc) Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Wyniki : 14
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
PRODUKT Z PLATFORMY HANDLOWEJ
14Wyniki
Zastosowane filtry Usuń wszystkie

Wyświetlanie
z 14
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Vgs (maks.)
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Charakterystyka FET
Straty mocy (maks.)
Temperatura robocza
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa dostawcy urządzenia
Obudowa / skrzynia
PG-TSDSON-8
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
22 701
W magazynie
1 : 4,27000 zł
Taśma cięta (CT)
5 000 : 0,99412 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał P
MOSFET (tlenek metalu)
30 V
11A (Ta), 40A (Tc)
6V, 10V
12mOhm przy 20A, 10V
3,1V przy 73µA
45 nC @ 10 V
±25V
3360 pF @ 15 V
-
2,1W (Ta), 52W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO-252AA
FDD6685
MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
onsemi
7 330
W magazynie
1 : 7,12000 zł
Taśma cięta (CT)
2 500 : 1,96776 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał P
MOSFET (tlenek metalu)
30 V
11A (Ta), 40A (Tc)
4,5V, 10V
20mOhm przy 11A, 10V
3V przy 250µA
24 nC @ 5 V
±25V
1715 pF @ 15 V
-
52W (Ta)
-55°C - 155°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
ISL9N302AS3
FDU8878
MOSFET N-CH 30V 11A/40A IPAK
Fairchild Semiconductor
41 569
Marketplace
919 : 1,34310 zł
Rurka
Rurka
Nieaktualne
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
30 V
11A (Ta), 40A (Tc)
4,5V, 10V
15mOhm przy 35A, 10V
2,5V przy 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 15 V
-
40W (Tc)
-55°C - 175°C (TJ)
-
-
Otwór przelotowy
IPAK
TO-251-3 krótkie odpr, IPAK, TO-251AA
MJD32CTF-ON
FDD8878
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Fairchild Semiconductor
30 452
Marketplace
611 : 1,99430 zł
Zbiorcze
Zbiorcze
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
30 V
11A (Ta), 40A (Tc)
4,5V, 10V
15mOhm przy 35A, 10V
2,5V przy 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 15 V
-
40W (Tc)
-55°C - 175°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252 (DPak)
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
0
W magazynie
Sprawdź czas realizacji
5 000 : 0,79340 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
40 V
11A (Ta), 40A (Tc)
10V
10,5mOhm przy 20A, 10V
4V przy 14µA
17 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 20 V
-
2,1W (Ta), 35W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
PG-TSDSON-8-1
8-PowerVDFN
PG-TSDSON-8
BSZ105N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
0
W magazynie
Nieaktualne
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nieaktualne
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
40 V
11A (Ta), 40A (Tc)
10V
10,5mOhm przy 20A, 10V
4V przy 14µA
17 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 20 V
-
2,1W (Ta), 35W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8-PowerTDFN
BSZ0704LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Infineon Technologies
0
W magazynie
Nieaktualne
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nieaktualne
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
11A (Ta), 40A (Tc)
4,5V, 10V
9,9mOhm przy 20A, 10V
2,3V przy 14µA
8.6 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
2,1W (Ta), 36W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
PG-TDSON-8, FL
8-PowerTDFN
PG-TSDSON-8
BSZ088N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
0
W magazynie
Nieaktualne
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nieaktualne
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
30 V
11A (Ta), 40A (Tc)
4,5V, 10V
8mOhm przy 20A, 10V
2V przy 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 15 V
-
2,1W (Ta), 35W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO-252AA
FDD8878
MOSFET N-CH 30V 11A/40A TO252AA
onsemi
0
W magazynie
Nieaktualne
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nieaktualne
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
30 V
11A (Ta), 40A (Tc)
4,5V, 10V
15mOhm przy 35A, 10V
2,5V przy 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 15 V
-
40W (Tc)
-55°C - 175°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
8-PowerTDFN
BSZ0804LSATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Infineon Technologies
0
W magazynie
Nieaktualne
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nieaktualne
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
100 V
11A (Ta), 40A (Tc)
4,5V, 10V
9,6mOhm przy 20A, 10V
2,3V przy 36µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
2100 pF @ 50 V
-
2,1W (Ta), 69W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
PG-TDSON-8, FL
8-PowerTDFN
8PQFN
IRFH5406TRPBF
MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN
Infineon Technologies
0
W magazynie
Nieaktualne
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nieaktualne
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
11A (Ta), 40A (Tc)
10V
14,4mOhm przy 24A, 10V
4V przy 50µA
35 nC @ 10 V
±20V
1256 pF @ 25 V
-
3,6W (Ta), 46W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
PQFN (5x6)
8-PowerVDFN
8PQFN
IRFH5406TR2PBF
MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN
Infineon Technologies
0
W magazynie
1 : 7,65000 zł
Taśma cięta (CT)
-
Taśma cięta (CT)
Nieaktualne
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
11A (Ta), 40A (Tc)
-
14,4mOhm przy 24A, 10V
4V przy 50µA
35 nC @ 10 V
-
1256 pF @ 25 V
-
-
-
-
-
Montaż powierzchniowy
PQFN (5x6)
8-PowerVDFN
PG-TSDSON-8
BSZ120P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
0
W magazynie
Nieaktualne
Taśma i szpula (TR)
Nieaktualne
Kanał P
MOSFET (tlenek metalu)
30 V
11A (Ta), 40A (Tc)
6V, 10V
12mOhm przy 20A, 10V
3,1V przy 73µA
45 nC @ 10 V
±25V
3360 pF @ 15 V
-
2,1W (Ta), 52W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO-252AA
FDD6685-G
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
onsemi
0
W magazynie
Nieaktualne
Taśma i szpula (TR)
Nieaktualne
Kanał P
MOSFET (tlenek metalu)
30 V
11A (Ta), 40A (Tc)
4,5V, 10V
20mOhm przy 11A, 10V
3V przy 250µA
24 nC @ 5 V
±25V
1715 pF @ 15 V
-
1,6W (Ta)
-55°C - 175°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Wyświetlanie
z 14

11A (Ta), 40A (Tc) Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze


Dyskretne tranzystory polowe (FET) są szeroko używane w przekształtnikach mocy, sterowaniu silnikami, oświetleniu półprzewodnikowym i innych zastosowaniach, gdzie wykorzystywane są ich charakterystyczne zdolności przełączania z wysokimi częstotliwościami, przy jednoczesnym przenoszeniu prądów o znacznym natężeniu. Są one używane najczęściej w zastosowaniach wymagających napięć znamionowych do kilkuset woltów. Przy wyższych napięciach korzystniejsze jest stosowanie urządzeń innego typu, np. tranzystorów IGBT.