Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Wyniki : 2
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
PRODUKT Z PLATFORMY HANDLOWEJ
2Wyniki

Wyświetlanie
z 2
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Vgs (maks.)
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Charakterystyka FET
Straty mocy (maks.)
Temperatura robocza
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa dostawcy urządzenia
Obudowa / skrzynia
SQS415ENW-T1_GE3
SQ7415CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
Vishay Siliconix
11 757
W magazynie
1 : 5,54000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 1,43721 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał P
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
16A (Tc)
4,5V, 10V
65mOhm przy 5,7A, 10V
2,5V przy 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1385 pF @ 25 V
-
53W (Tc)
-55°C - 175°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
PowerPAK® 1212-8W
PowerPAK® 1212-8W
SIS176LDN-T1-GE3
SIS184DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Vishay Siliconix
10 364
W magazynie
1 : 8,22000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 2,28350 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
17,4A (Ta), 65,3A (Tc)
7,5V, 10V
5,8mOhm przy 10A, 10V
3,4V przy 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1490 pF @ 30 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
Wyświetlanie
z 2

Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze


Dyskretne tranzystory polowe (FET) są szeroko używane w przekształtnikach mocy, sterowaniu silnikami, oświetleniu półprzewodnikowym i innych zastosowaniach, gdzie wykorzystywane są ich charakterystyczne zdolności przełączania z wysokimi częstotliwościami, przy jednoczesnym przenoszeniu prądów o znacznym natężeniu. Są one używane najczęściej w zastosowaniach wymagających napięć znamionowych do kilkuset woltów. Przy wyższych napięciach korzystniejsze jest stosowanie urządzeń innego typu, np. tranzystorów IGBT.