Układy tranzystorów FET, MOSFET

Wyniki : 5 985
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
Pomiń
5 985Wyniki

Wyświetlanie
z 5 985
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Technologia
Konfiguracja
Charakterystyka FET
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Moc - maks.
Temperatura robocza
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa / skrzynia
Obudowa dostawcy urządzenia
66 787
W magazynie
1 : 0,78000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,14819 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
60V
300mA
1,5Ohm przy 100mA, 10V
2,1V przy 250µA
0,6nC przy 4,5V
40pF przy 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
46 276
W magazynie
1 : 1,04000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,21518 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
295mA
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,9nC przy 4,5V
26pF przy 20V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
116 981
W magazynie
1 : 1,15000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,24253 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
300mA
3Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,6nC przy 10V
20pF przy 25V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
88 672
W magazynie
1 : 1,15000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,21900 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
60V
230mA
7,5Ohm przy 50mA, 5V
2V przy 250µA
-
50pF przy 25V
310mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
71 844
W magazynie
1 : 1,19000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,17454 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm przy 800mA, 4,5V, 390mOhm przy 800mA, 4,5V
1V przy 1mA
1nC przy 10V
55pF przy 10V, 100pF przy 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
ES6
26 269
W magazynie
1 : 1,23000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,25106 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm przy 100mA, 4,5V
1V przy 1mA
-
12pF przy 10V
300mW
150°C
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
64 999
W magazynie
1 : 1,38000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,24548 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
20V
500mA, 330mA
630mOhm przy 200mA, 5V
1V przy 1mA
1,23nC przy 4V
46pF przy 10V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
ES6
PMBT2222AYS-QX
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
329 562
W magazynie
1 : 1,41000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,26263 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
320mA
1,6Ohm przy 320mA, 10V
1,6V przy 250µA
0,7nC przy 4,5V
56pF przy 10V
445mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
NC7SZ332P6X
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
56 665
W magazynie
1 : 1,41000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,32252 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
115mA
7,5Ohm przy 50mA, 5V
2V przy 250µA
-
50pF przy 25V
200mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88 (SC-70-6)
PG-SOT363-PO
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
43 641
W magazynie
1 : 1,41000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,30033 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
880mA
400mOhm przy 880mA, 2,5V
750mV przy 1,6µA
0,26nC przy 2,5V
78pF przy 10V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
677 177
W magazynie
1 : 1,49000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,27387 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
1V przy 1mA
-
25pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
37 059
W magazynie
1 : 1,53000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,26995 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 4,5V
30V
3,4A, 2,8A
60mOhm przy 3,1A, 10V
2,3V przy 250µA
13nC przy 10V
400pF przy 15V
840mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
23 582
W magazynie
1 : 1,56000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,26603 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm przy 3,4A, 10V
1,5V przy 250µA
12,3nC przy 10V
422pF przy 15V
850mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
SI1033X-T1-GE3
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
33 805
W magazynie
1 : 1,60000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,35667 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
610mA (Ta)
396mOhm przy 500mA, 4,5V
1V przy 250µA
2nC przy 8V
43pF przy 10V
220mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
SOT 23-6
SIL2308-TP
MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L
MCC (Micro Commercial Components)
63 302
W magazynie
1 : 1,67000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,30467 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
-
20V
5A, 4A
38mOhm przy 4,5A, 4,5V, 90mOhm przy 500mA, 4,5V
1V przy 250µA
11nC przy 4,5V, 12nC przy 2,5V
800pF, 405pF przy 8V, 10V
-
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6
SOT-23-6L
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
0
W magazynie
Sprawdź czas realizacji
1 : 1,71000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,37491 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
630mA
375mOhm przy 630mA, 4,5V
1,5V przy 250µA
3nC przy 4,5V
46pF przy 20V
270mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-563
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
377 711
W magazynie
1 : 1,71000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,29622 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
20V
540mA
550mOhm przy 540mA, 4,5V
1V przy 250µA
2,5nC przy 4,5V
150pF przy 16V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
6 064
W magazynie
1 : 1,75000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,37185 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
30V
5A
32mOhm przy 5,8A, 10V
1,5V przy 250µA
-
1155pF przy 15V
1,4W
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VDFN podkładka odsłonięta
DFN2020-6L
53 604
W magazynie
1 : 1,79000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,32080 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
30V
400mA, 200mA
700mOhm przy 200MA, 10V
1,8V przy 100µA
-
20pF przy 5V
300mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT 363
BSS138DWQ-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Diodes Incorporated
25 162
W magazynie
1 359 000
Fabryka
1 : 1,79000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,37927 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
50V
200mA
3,5Ohm przy 220mA, 10V
1,5V przy 250µA
-
50pF przy 10V
200mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
24 220
W magazynie
1 : 1,79000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,35985 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
30V
250mA
1,5Ohm przy 10mA, 4V
1,5V przy 100µA
1,3nC przy 5V
33pF przy 5V
272mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
Pkg 5540
SI3932DV-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP
Vishay Siliconix
29 656
W magazynie
1 : 1,82000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,75888 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
30V
3,7A
58mOhm przy 3,4A, 10V
2,2V przy 250µA
6nC przy 10V
235pF przy 15V
1,4W
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
6-TSOP
SOT-563
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
0
W magazynie
Sprawdź czas realizacji
1 : 1,97000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,42699 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
20V
540mA, 430mA
550mOhm przy 540mA, 4,5V
1V przy 250µA
2,5nC przy 4,5V
150pF przy 16V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
384 743
W magazynie
2 442 000
Fabryka
1 : 2,01000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,39628 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
60V
500mA, 360mA
1,7Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,3nC przy 4,5V
30pF przy 25V, 25pF przy 25V
450mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SI1424EDH-T1-GE3
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
20 908
W magazynie
1 : 2,05000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,38327 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
30V
700mA, 500mA
388mOhm przy 600mA, 10V
2,5V przy 250µA
1,5nC przy 10V
28pF przy 15V
340mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70-6
Wyświetlanie
z 5 985

Układy tranzystorów FET, MOSFET


Tranzystory polowe (FET) są urządzeniami elektronicznymi, które wykorzystują pole elektryczne do sterowania przepływem prądu. Przyłożenie napięcia do zacisku bramki zmienia przewodnictwo pomiędzy zaciskami drenu i źródła. Tranzystory FET są również znane jako tranzystory unipolarne, ponieważ działają z wykorzystaniem pojedynczego nośnika. Oznacza to, że tranzystory FET wykorzystują w swoim działaniu elektrony albo dziury jako nośniki ładunku, ale nie obydwa jednocześnie. Tranzystory polowe zwykle wykazują bardzo wysoką impedancję wejściową przy niskich częstotliwościach.