Układy tranzystorów FET, MOSFET

Wyniki : 5 747
Producent
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Seria
-*448AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™DeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VI
Opakowanie
Digi-Reel®ListwaRurkaSkrzynkaTacaTaśma cięta (CT)Taśma i szpula (TR)Zbiorcze
Status produktu
AktywnyNie do nowych projektówNieaktualneOstatnio kupionoProdukt wycofany z oferty Digi-Key
Technologia
-GaNFET (azotek galu)MOSFET (tlenek metalu)SiCFET (węglik krzemu)Węglik krzemu (SiC)
Konfiguracja
2 kanał N2 kanały N (odgałęzienie fazowe)2 kanały N (podwójne)2 kanały N (podwójne), asymetryczne2 kanały N (podwójne), dioda Schottky'ego2 kanały N (podwójne), dobrane w pary2 kanały N (podwójne), wspólne źródło2 kanały N (podwójne), wspólny dren2 kanały N (podwójny przekształtnik obniżający napięcie)2 kanały N (półmostek)2 kanały N (z kaskodą)2 kanały N i 2 kanały P
Charakterystyka FET
-Bramka poziomów logicznych, sterowanie 10VBramka poziomu logicznegoBramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9VBramka poziomu logicznego, sterowanie 1,2VBramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5VBramka poziomu logicznego, sterowanie 1,8VBramka poziomu logicznego, sterowanie 2,5VBramka poziomu logicznego, sterowanie 4,5VBramka poziomu logicznego, sterowanie 4VBramka poziomu logicznego, sterowanie 5VTryb ograniczenia funkcjiWęglik krzemu (SiC)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
0,46mOhm przy 160A, 12V0,762mOhm przy 160A, 12V0,765mOhm przy 160A, 12V, 0,580mOhm przy 160A, 12V0,765mOhm przy 160A, 12V, 0,710mOhm przy 160A, 12V0,8mOhm przy 1200A, 10V0,88mOhm przy 160A, 14V, 0,71mOhm przy 160A, 14V0,88mOhm przy 50A, 10V0,95mOhm przy 30A, 10V0,95mOhm przy 8A, 4,5V0,99mOhm przy 80A, 10V, 1,35mOhm przy 80A, 10V1,039mOhm przy 160A, 12V, 762µOhm przy 160A, 12V1,15mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
10mV przy 10µA10mV przy 1µA10mV przy 20µA20mV przy 10µA20mV przy 1µA20mV przy 20µA180mV przy 1µA200mV przy 2,8A, 200mV przy 1,9A220mV przy 1µA360mV przy 1µA380mV przy 1µA400mV przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
0,4pC przy 4,5V, 7,3nC przy 4,5V0,45pC przy 4,5V50pC przy 4,5V0,16nC przy 5V, 0,044nC przy 5V0,22nC przy 5V, 0,044nC przy 5V0,26nC przy 2,5V0,28nC przy 4,5V0,28nC przy 4,5V, 0,3nC przy 4,5V0,3nC przy 4,5V0,3nC przy 4,5V, 0,28nC przy 4,5V0,304nC przy 4,5V0,31nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2,5pF przy 5V3pF przy 5V5pF przy 3V6pF przy 3V6,2pF przy 10V6,6pF przy 10V7pF przy 10V7pF przy 3V7,1pF przy 10V7,4pF przy 10V7,5pF przy 10V8,5pF przy 3V
Moc - maks.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Temperatura robocza
-65°C - 150°C (TJ)-55°C - 125°C-55°C - 150°C-55°C - 150°C (TA)-55°C - 150°C (Tc)-55°C - 150°C (TJ)-55°C - 155°C (TJ)-55°C - 175°C-55°C - 175°C (TA)-55°C - 175°C (TJ)-50°C - 150°C (TJ)-40°C - 125°C
Klasa
-MotoryzacjaWojskowość
Kwalifikacja
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Typ mocowania
-Montaż na podstawie montażowejMontaż powierzchniowyMontaż powierzchniowy, bok zwilżanyOtwór przelotowy
Obudowa / skrzynia
4-SMD, brak odprowadzenia4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN podkładka odsłonięta4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Obudowa dostawcy urządzenia
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-Chip LGA (1,59x1,59)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
PRODUKT Z PLATFORMY HANDLOWEJ
5 747Wyniki
Wyświetlanie
z 5 747
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Technologia
Konfiguracja
Charakterystyka FET
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Moc - maks.
Temperatura robocza
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa / skrzynia
Obudowa dostawcy urządzenia
345 086
W magazynie
1 : 0,53000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,13743 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
60V
300mA
1,5Ohm przy 100mA, 10V
2,1V przy 250µA
0,6nC przy 4,5V
40pF przy 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
117 088
W magazynie
1 : 0,80000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,21566 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
60V
230mA
7,5Ohm przy 50mA, 5V
2V przy 250µA
-
50pF przy 25V
310mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
70 811
W magazynie
1 : 0,84000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,21527 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm przy 800mA, 4,5V, 390mOhm przy 800mA, 4,5V
1V przy 1mA
1nC przy 10V
55pF przy 10V, 100pF przy 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
2 098
W magazynie
1 : 0,84000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,21198 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
320mA
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,4V przy 250µA
0,8nC przy 4,5V
50pF przy 10V
420mW
150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q100
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
190 573
W magazynie
1 : 0,88000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,22947 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm przy 100mA, 4,5V
1V przy 1mA
-
12pF przy 10V
300mW
150°C
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
6DFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
37 345
W magazynie
1 : 0,88000 zł
Taśma cięta (CT)
5 000 : 0,21542 zł
Taśma i szpula (TR)
1 : 1,03000 zł
Taśma cięta (CT)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
600mA
620mOhm przy 600mA, 4,5V
950mV przy 250µA
0,7nC przy 4,5V
21,3pF przy 10V
265mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-XFDFN podkładka odsłonięta
DFN1010B-6
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
82 775
W magazynie
1 : 0,92000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,24727 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
300mA
3Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0,6nC przy 10V
20pF przy 25V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
141 061
W magazynie
1 : 0,96000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,24163 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
30V
100mA
4Ohm przy 10mA, 4V
1,5V przy 100µA
-
8,5pF przy 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
48 979
W magazynie
1 458 000
Fabryka
1 : 1,03000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,27262 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
20V
1,07A, 845mA
450mOhm przy 600mA, 4,5V
1V przy 250µA
0,74nC przy 4,5V
60,67pF przy 10V
330mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
743 474
W magazynie
1 : 1,11000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,23791 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
1V przy 1mA
-
25pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
336 933
W magazynie
1 : 1,11000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,30280 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
800mV przy 1mA
-
26pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
164 568
W magazynie
1 : 1,11000 zł
Taśma cięta (CT)
8 000 : 0,26724 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
800mV przy 1mA
-
26pF przy 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
EMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
100 345
W magazynie
3 012 000
Fabryka
1 : 1,11000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,29685 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 4,5V
30V
3,4A, 2,8A
60mOhm przy 3,1A, 10V
2,3V przy 250µA
13nC przy 10V
400pF przy 15V
840mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
6 262
W magazynie
2 514 000
Fabryka
1 : 1,11000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,30051 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm przy 3,4A, 10V
1,5V przy 250µA
12,3nC przy 10V
422pF przy 15V
850mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
PG-SOT363-PO
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
130 063
W magazynie
1 : 1,22000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,36454 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
880mA
400mOhm przy 880mA, 2,5V
750mV przy 1,6µA
0,26nC przy 2,5V
78pF przy 10V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
68 880
W magazynie
1 : 1,22000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,33223 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
860mA
350mOhm przy 200mA, 4,5V
1,5V przy 250µA
0,72nC przy 4,5V
34pF przy 20V
410mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
455 532
W magazynie
1 : 1,26000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,33183 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
-
20V
540mA
550mOhm przy 540mA, 4,5V
1V przy 250µA
2,5nC przy 4,5V
150pF przy 16V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
99 343
W magazynie
1 : 1,26000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,34681 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
60V
115mA
7,5Ohm przy 50mA, 5V
2V przy 250µA
-
50pF przy 25V
200mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88 (SC-70-6)
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
28 803
W magazynie
1 : 1,26000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,34598 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
630mA
375mOhm przy 630mA, 4,5V
1,5V przy 250µA
3nC przy 4,5V
46pF przy 20V
270mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
12 395
W magazynie
1 : 1,26000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,32781 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5V
20V
800mA (Ta), 720mA (Ta)
240mOhm przy 500mA, 4.5V, 300mOhm przy 400mA, 4.5V
1V przy 1mA
2nC przy 4,5V, 1,76nC przy 4,5V
90pF przy 10V, 110pF przy 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
ES6
37 586
W magazynie
1 : 1,30000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,35036 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
Kanał N i P
Bramka poziomu logicznego
30V
400mA, 200mA
700mOhm przy 200MA, 10V
1,8V przy 100µA
-
20pF przy 5V
300mW
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PG-SOT363-PO
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
35 574
W magazynie
1 : 1,30000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,35492 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
950mA
350mOhm przy 950mA, 4,5V
1,2V przy 1,6µA
0,32nC przy 4,5V
63pF przy 10V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT666
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
76 474
W magazynie
1 : 1,34000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,35465 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
800mA
380mOhm przy 500mA, 4,5V
950mV przy 250µA
0,68nC przy 4,5V
83pF przy 10V
500mW
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-666
SOT-563-6_463A
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
onsemi
55 332
W magazynie
1 : 1,34000 zł
Taśma cięta (CT)
4 000 : 0,35066 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały P (podwójne)
-
20V
430mA
900mOhm przy 430mA, 4,5V
1V przy 250µA
2,5nC przy 4,5V
175pF przy 16V
250mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SOT-563
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
15 342
W magazynie
1 : 1,38000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,37682 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET (tlenek metalu)
2 kanały N (podwójne)
Bramka poziomu logicznego
20V
610mA (Ta)
396mOhm przy 500mA, 4,5V
1V przy 250µA
2nC przy 8V
43pF przy 10V
220mW
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
Wyświetlanie
z 5 747

Układy tranzystorów FET, MOSFET

Tranzystory polowe (FET) są urządzeniami elektronicznymi, które wykorzystują pole elektryczne do sterowania przepływem prądu. Przyłożenie napięcia do zacisku bramki zmienia przewodnictwo pomiędzy zaciskami drenu i źródła. Tranzystory FET są również znane jako tranzystory unipolarne, ponieważ działają z wykorzystaniem pojedynczego nośnika. Oznacza to, że tranzystory FET wykorzystują w swoim działaniu elektrony albo dziury jako nośniki ładunku, ale nie obydwa jednocześnie. Tranzystory polowe zwykle wykazują bardzo wysoką impedancję wejściową przy niskich częstotliwościach.